中國科學(xué)院微電子研究所近日宣布，成功開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的超臨界二氧化碳無損傷清洗設(shè)備。這一突破性技術(shù)的問世，標志著我國在高端芯片制造和精密器件清洗領(lǐng)域取得了重要進展。

傳統(tǒng)清洗工藝在微電子制造過程中往往會對精密器件造成損傷，而超臨界二氧化碳清洗技術(shù)利用二氧化碳在超臨界狀態(tài)下的特殊物理性質(zhì)，能夠在不損傷器件表面的前提下實現(xiàn)高效清潔。該技術(shù)特別適用于對表面潔凈度要求極高的芯片制造、MEMS器件等精密電子元件的清洗工藝。

此次研發(fā)成功的設(shè)備在多個關(guān)鍵技術(shù)指標上達到國際先進水平，實現(xiàn)了對微米級結(jié)構(gòu)的無損清洗，清洗效率較傳統(tǒng)工藝提升30%以上。該設(shè)備采用智能化控制系統(tǒng)，操作簡便，且二氧化碳可循環(huán)使用，具有環(huán)保、節(jié)能的顯著優(yōu)勢。

目前，該設(shè)備已進入產(chǎn)業(yè)化階段，面向國內(nèi)外半導(dǎo)體制造企業(yè)、科研院所等相關(guān)單位提供銷售服務(wù)。這一創(chuàng)新成果不僅填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，更有望降低國內(nèi)芯片制造企業(yè)對進口清洗設(shè)備的依賴，推動我國微電子產(chǎn)業(yè)向更高水平發(fā)展。